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半導體激光原理實驗裝置

更新時間：2024-05-11

產品型號：XRS11-WGL-2

廠家性質：生產廠家

訪問次數：630

簡要描述：

儀器參數

光學導軌，二維調節架，四維調節架
泵浦光源 808nm半導體激光器
指示光源 650nm半導體激光器
晶體 KPT Nd:YVO4
輸出鏡及濾光片
激光功率計指示

半導體泵浦激光原理實驗裝置/半導體激光原理實驗裝置   型號：XRS11-WGL-2

儀器簡介

　　適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗，本實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象，讓學生自己動手，調整激光器光路，產生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕產生532nm倍頻光，觀察倍頻現象，測量倍頻效率，相位匹配角等基本參數。從而對激光原理及激光技術有一定了解。
　 　實驗原理同HAD1WGL-1型半導體泵浦激光原理實驗裝置，泵浦激光源強度連續可調，指示光源He-Ne激光器。





儀器參數

光學導軌，二維調節架，四維調節架
泵浦光源 808nm半導體激光器
指示光源 650nm半導體激光器
晶體 KPT Nd:YVO4
輸出鏡及濾光片
激光功率計指示

儀器介紹
   WGL-2適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗，本實驗以808nm半導體泵浦Nd：YVO4激光器為研究對象，讓學生自己動手，調整激光器光路。在諧振腔中插入KTP晶體產生532nm倍頻光，觀察倍頻現象，測量相位匹配角，閾值等基本參數。從而對激光原理及激光技術有一定的了解。

基本配置及參數： 
編號
名稱
規格
件數
1
導軌主體
長1m，硬鋁型材
1
2
808半導體激光器
連續輸出功率：500mW，中心波長：808±10nm，
    偏振態：TE
1
3
氦氖激光器
632.8nm，功率≤1mW
1
4
紅外顯示卡
可觀察0.7~1.6μm的近紅外光
1
5
KTP晶體
透過波段：0.35~4.5μm，電光系數：γ33=36Pm/V
1
6
Nd:YVO4晶體
摻Nd3+濃度0.1~3.0 atm%，平面度<λ/10@632.8nm
    鍍膜：AR@1064nm，R<0.1%，HT@808nm，T>90%
1
7
光學元件
輸出鏡（R=50mm），濾光片
各1
8
光功率測試儀
2μW、20μW、200μW、2mW、
    20mW、200mW六檔功率范圍3位半數字顯示器
1
9
其他
光源架，四維調節架，二維調節架，光靶


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